SQM100N10-10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQM100N10-10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 655 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SQM100N10-10 datasheet

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SQM100N10-10

SQM100N10-10 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 100 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0105 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.0120 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 100 Material categorization Configuration Sin

 7.1. Size:166K  vishay
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SQM100N10-10

SQM100N04-3m5 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 40 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0030 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 100 AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single Material categorization D For definitions of compliance ple

 7.2. Size:183K  vishay
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SQM100N10-10

SQM100N04-2m7 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 40 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0027 100 % Rg and UIS tested ID (A) 100 AEC-Q101 qualified d Configuration Single Package TO-263 Material categorization for definitions of

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