SQM100N10-10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQM100N10-10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 122 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 655 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0105 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для SQM100N10-10
SQM100N10-10 Datasheet (PDF)
sqm100n10-10.pdf
SQM100N10-10www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 100 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0105 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0120 100 % Rg and UIS TestedID (A) 100 Material categorization:Configuration Sin
sqm100n04-3m5.pdf
SQM100N04-3m5www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0030 100 % Rg and UIS TestedID (A) 100 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single Material categorization:DFor definitions of compliance ple
sqm100n04-2m7.pdf
SQM100N04-2m7www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0027 100 % Rg and UIS testedID (A) 100 AEC-Q101 qualified dConfiguration SinglePackage TO-263 Material categorization: for definitions of
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
