SQM60N06-15 Todos los transistores

 

SQM60N06-15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQM60N06-15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 314 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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SQM60N06-15 PDF Specs

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SQM60N06-15

SQM60N06-15 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.015 TrenchFET Power MOSFET ID (A) 56 Package with Low Thermal Resistance AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single 100 % Rg and UIS Tested D Charac... See More ⇒

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SQM60N06-15

SQM60N06-15 Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.015 TrenchFET Power MOSFET ID (A) 56 Package with Low Thermal Resistance Configuration Single AEC-Q101 Qualifiedd Characterization Ongoing D Compliant to RoHS D... See More ⇒

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SQM60N06-15

SQM60N20-35 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 200 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.035 AEC-Q101 qualified d ID (A) 60 100 % Rg and UIS tested Configuration Single Package TO-263 Material categorization for definitions of co... See More ⇒

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