SQM60N06-15 Todos los transistores

 

SQM60N06-15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQM60N06-15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 107 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 56 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 33 nC

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 314 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

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SQM60N06-15 Datasheet (PDF)

1.1. sqm60n06-15.pdf Size:698K _upd-mosfet

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SQM60N06-15 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) () at VGS = 10 V 0.015 • TrenchFET® Power MOSFET ID (A) 56 • Package with Low Thermal Resistance • AEC-Q101 Qualifiedd Configuration Single • 100 % Rg and UIS Tested D • Charac

2.1. sqm60n06.pdf Size:166K _vishay

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SQM60N20-35 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® power MOSFET VDS (V) 200 • Package with low thermal resistance RDS(on) (Ω) at VGS = 10 V 0.035 • AEC-Q101 qualified d ID (A) 60 • 100 % Rg and UIS tested Configuration Single Package TO-263 • Material categorization: for definitions of co

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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