SQP120N06-06 Todos los transistores

 

SQP120N06-06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQP120N06-06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 119 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 708 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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SQP120N06-06 Datasheet (PDF)

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SQP120N06-06

SQP120N06-06www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.006 AEC-Q101 qualified dID (A) 119 100 % Rg and UIS testedConfiguration SinglePackage TO-220 Material categorization: for definitions of co

 7.1. Size:132K  vishay
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SQP120N06-06

SQP120N10-3m8www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 100 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 AEC-Q101 QualifieddID (A) 120 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Material categorization:DTO-220For definitions of comp

 7.2. Size:144K  vishay
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SQP120N06-06

SQP120N10-09www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0095 AEC-Q101 qualified dID (A) 120 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single Material categorization:Package TO-220for definitions of

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History: PNM3FD201E0 | MS15N60 | SI2356DS

 

 
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