SQP120N06-06 Todos los transistores

 

SQP120N06-06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQP120N06-06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 119 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 708 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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SQP120N06-06 PDF Specs

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SQP120N06-06 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.006 AEC-Q101 qualified d ID (A) 119 100 % Rg and UIS tested Configuration Single Package TO-220 Material categorization for definitions of co... See More ⇒

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SQP120N10-3m8 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 100 Package with Low Thermal Resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0038 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 120 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Material categorization D TO-220 For definitions of comp... See More ⇒

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SQP120N10-09 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 100 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.0095 AEC-Q101 qualified d ID (A) 120 100 % Rg and UIS tested Configuration Single Material categorization Package TO-220 for definitions of ... See More ⇒

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History: 2SK1085-M

 

 
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