SQP120N06-06 Todos los transistores

 

SQP120N06-06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQP120N06-06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 175 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 119 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.5 V

Carga de compuerta (Qg): 96.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 14 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 708 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.006 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220AB

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SQP120N06-06 Datasheet (PDF)

1.1. sqp120n06-06.pdf Size:146K _upd-mosfet

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SQP120N06-06 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® power MOSFET VDS (V) 60 • Package with low thermal resistance RDS(on) (Ω) at VGS = 10 V 0.006 • AEC-Q101 qualified d ID (A) 119 • 100 % Rg and UIS tested Configuration Single Package TO-220 • Material categorization: for definitions of co

3.1. sqp120n10-09.pdf Size:144K _upd-mosfet

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SQP120N10-09 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® power MOSFET VDS (V) 100 • Package with low thermal resistance RDS(on) (Ω) at VGS = 10 V 0.0095 • AEC-Q101 qualified d ID (A) 120 • 100 % Rg and UIS tested Configuration Single • Material categorization: Package TO-220 for definitions of

3.2. sqp120n10-3m8.pdf Size:132K _upd-mosfet

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SQP120N10-3m8 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® Power MOSFET VDS (V) 100 • Package with Low Thermal Resistance RDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 • AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 120 • 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single • Material categorization: D TO-220 For definitions of comp

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