SQP120N10-09 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQP120N10-09
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 375 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 635 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQP120N10-09

SQP120N10-09 Datasheet (PDF)

..1. Size:144K vishay
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SQP120N10-09www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0095 AEC-Q101 qualified dID (A) 120 100 % Rg and UIS testedConfiguration Single Material categorization:Package TO-220for definitions of

4.1. Size:132K vishay
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SQP120N10-3m8www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 100 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 AEC-Q101 QualifieddID (A) 120 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Material categorization:DTO-220For definitions of comp

7.1. Size:146K vishay
sqp120n06-06.pdf

SQP120N06-06www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.006 AEC-Q101 qualified dID (A) 119 100 % Rg and UIS testedConfiguration SinglePackage TO-220 Material categorization: for definitions of co

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Liste

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