SQP50N06-09L Todos los transistores

 

SQP50N06-09L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQP50N06-09L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 435 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

SQP50N06-09L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  vishay
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SQP50N06-09L

SQP50N06-09Lwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.009 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.013 Material categorization:ID (A) 50For definitions of compliance please seeConfiguration Singleww

 9.1. Size:176K  vishay
 sqp50p03-07.pdf pdf_icon

SQP50N06-09L

SQP50P03-07www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 30DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0070 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0110 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguration

 9.2. Size:1367K  cn vbsemi
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SQP50N06-09L

SQP50P03-07www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0092 at VGS = - 10 V - 60 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.0128 at VGS = - 4.5 V - 55APPLICATIONS Load SwitchTO-220AB Notebook Adaptor SwitchS G G D STop V

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History: VS4020AP | 2N7075

 

 
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