SQP50P03-07 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQP50P03-07  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 764 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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SQP50P03-07 datasheet

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SQP50P03-07

SQP50P03-07 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 30 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.0070 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.0110 Package with Low Thermal Resistance ID (A) - 50 100 % Rg and UIS Tested Configuration

 ..2. Size:1367K  cn vbsemi
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SQP50P03-07

SQP50P03-07 www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0092 at VGS = - 10 V - 60 100 % Rg Tested RoHS - 30 29.5 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.0128 at VGS = - 4.5 V - 55 APPLICATIONS Load Switch TO-220AB Notebook Adaptor Switch S G G D S Top V

 9.1. Size:127K  vishay
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SQP50P03-07

SQP50N06-09L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.009 AEC-Q101 Qualifiedd RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.013 Material categorization ID (A) 50 For definitions of compliance please see Configuration Single ww

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