SQP90P06-07L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQP90P06-07L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 120 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 180 nC
Tiempo de elevación (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1034 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0067 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220AB
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SQP90P06-07L Datasheet (PDF)
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SQP90P06-07L www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® power MOSFET VDS (V) -60 • Package with low thermal resistance RDS(on) (Ω) at VGS = -10 V 0.0067 • AEC-Q101 qualified d RDS(on) (Ω) at VGS = -4.5 V 0.0088 • 100 % Rg and UIS tested ID (A) -120 • Material categorization: Configuration Singl
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