SQR50N06-07L Todos los transistores

 

SQR50N06-07L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SQR50N06-07L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 136 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 80 nC

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 407 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0076 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252

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SQR50N06-07L Datasheet (PDF)

1.1. sqr50n06-07l.pdf Size:139K _upd-mosfet

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SQR50N06-07L Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) () at VGS = 10 V 0.0076 • TrenchFET® Power MOSFET RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.009 • Package with Low Thermal Resistance ID (A) 50 • 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single • AEC-Q101 Qu

3.1. sqr50n03-06p.pdf Size:139K _upd-mosfet

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SQR50N03-06P www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® Power MOSFET VDS (V) 30 • AEC-Q101 Qualified RDS(on) () at VGS = 10 V 0.0060 • 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0085 • Material categorization: ID (A) 50 For definitions of compliance please see Configuration Singl

3.2. sqr50n04-3m8.pdf Size:141K _upd-mosfet

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SQR50N04-3m8 www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® Power MOSFET VDS (V) 40 • Package with Low Thermal Resistance RDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 • AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 50 • 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single • Material categorization: For definitions of compliance please s

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