SQR50N06-07L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SQR50N06-07L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 407 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0076 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQR50N06-07L

SQR50N06-07L Datasheet (PDF)

..1. Size:139K vishay
sqr50n06-07l.pdf

SQR50N06-07LVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0076 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.009 Package with Low Thermal ResistanceID (A) 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single AEC-Q101 Qu

7.1. Size:139K vishay
sqr50n03-06p.pdf

SQR50N03-06Pwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0060 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0085 Material categorization:ID (A) 50For definitions of compliance please see Configuration Singl

7.2. Size:141K vishay
sqr50n04-3m8.pdf

SQR50N04-3m8www.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0038 AEC-Q101 QualifieddID (A) 50 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Material categorization:For definitions of compliance please s

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Liste

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