TJ100F04M3L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TJ100F04M3L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm

Encapsulados: TO-220SM

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TJ100F04M3L datasheet

 ..1. Size:278K  toshiba
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TJ100F04M3L

TJ100F04M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ100F04M3L TJ100F04M3L TJ100F04M3L TJ100F04M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.8 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage c

 7.1. Size:290K  toshiba
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TJ100F04M3L

TJ100F06M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ100F06M3L TJ100F06M3L TJ100F06M3L TJ100F06M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 5.6 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage c

 9.1. Size:960K  jiejie micro
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TJ100F04M3L

JMTJ100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications 20V, 8A Load Switch RDS(ON)

Otros transistores... SSF3612E, R9523, SSF440M, SSF450M, SSF5508D, SSF5510G, SSF6010G, SSF7008, IRF830, TJ100F06M3L, TJ150F04M3L, TJ15S10M3, TJ200F04M3L, TJ9A10M3, TK100A06N1, TK100A08N1, TK100A10N1