TJ100F04M3L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TJ100F04M3L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO-220SM

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для TJ100F04M3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ100F04M3L даташит

 ..1. Size:278K  toshiba
 tj100f04m3l.pdf pdf_icon

TJ100F04M3L

TJ100F04M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ100F04M3L TJ100F04M3L TJ100F04M3L TJ100F04M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.8 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage c

 7.1. Size:290K  toshiba
 tj100f06m3l.pdf pdf_icon

TJ100F04M3L

TJ100F06M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ100F06M3L TJ100F06M3L TJ100F06M3L TJ100F06M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 5.6 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage c

 9.1. Size:960K  jiejie micro
 jmtj100n02a.pdf pdf_icon

TJ100F04M3L

JMTJ100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications 20V, 8A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... SSF3612E, R9523, SSF440M, SSF450M, SSF5508D, SSF5510G, SSF6010G, SSF7008, IRF830, TJ100F06M3L, TJ150F04M3L, TJ15S10M3, TJ200F04M3L, TJ9A10M3, TK100A06N1, TK100A08N1, TK100A10N1