TJ100F04M3L - аналоги и даташиты транзистора

 

TJ100F04M3L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TJ100F04M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SM
 

 Аналог (замена) для TJ100F04M3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ100F04M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  toshiba
 tj100f04m3l.pdf pdf_icon

TJ100F04M3L

TJ100F04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ100F04M3LTJ100F04M3LTJ100F04M3LTJ100F04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.8 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage c

 7.1. Size:290K  toshiba
 tj100f06m3l.pdf pdf_icon

TJ100F04M3L

TJ100F06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ100F06M3LTJ100F06M3LTJ100F06M3LTJ100F06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.6 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage c

 9.1. Size:960K  jiejie micro
 jmtj100n02a.pdf pdf_icon

TJ100F04M3L

JMTJ100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications 20V, 8A Load SwitchRDS(ON)

Другие MOSFET... SSF3612E , R9523 , SSF440M , SSF450M , SSF5508D , SSF5510G , SSF6010G , SSF7008 , IRF1405 , TJ100F06M3L , TJ150F04M3L , TJ15S10M3 , TJ200F04M3L , TJ9A10M3 , TK100A06N1 , TK100A08N1 , TK100A10N1 .

History: IRF7Y1405CM | WMM120P06TS

 

 
Back to Top

 


 
.