TJ100F06M3L Todos los transistores

 

TJ100F06M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TJ100F06M3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0071 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SM
 

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TJ100F06M3L Datasheet (PDF)

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TJ100F06M3L

TJ100F06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ100F06M3LTJ100F06M3LTJ100F06M3LTJ100F06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.6 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage c

 7.1. Size:278K  toshiba
 tj100f04m3l.pdf pdf_icon

TJ100F06M3L

TJ100F04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ100F04M3LTJ100F04M3LTJ100F04M3LTJ100F04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.8 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage c

 9.1. Size:960K  jiejie micro
 jmtj100n02a.pdf pdf_icon

TJ100F06M3L

JMTJ100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications 20V, 8A Load SwitchRDS(ON)

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History: IRFHM792PBF | SRT08N100LD

 

 
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