TK10P60W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK10P60W  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm

Encapsulados: DPAK

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TK10P60W datasheet

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TK10P60W

TK10P60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK10P60W TK10P60W TK10P60W TK10P60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
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TK10P60W

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK10P60W FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN

 9.1. Size:275K  1
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TK10P60W

TK10P50W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK10P50W TK10P50W TK10P50W TK10P50W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

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