TK10Q60W Todos los transistores

 

TK10Q60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK10Q60W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 80 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 9.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3.7 V

Carga de compuerta (Qg): 20 nC

Tiempo de elevación (tr): 22 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.43 Ohm

Empaquetado / Estuche: IPAK

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TK10Q60W Datasheet (PDF)

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TK10Q60W
TK10Q60W

TK10Q60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10Q60WTK10Q60WTK10Q60WTK10Q60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

0.2. tk10q60w.pdf Size:234K _inchange_semiconductor

TK10Q60W
TK10Q60W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK10Q60WITK10Q60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.43.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

 

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