TK10Q60W Todos los transistores

 

TK10Q60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK10Q60W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 80 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.7 V

Carga de compuerta (Qg): 20 nC

Tiempo de elevación (tr): 22 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.43 Ohm

Empaquetado / Estuche: IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK10Q60W

 

TK10Q60W Datasheet (PDF)

1.1. tk10q60w.pdf Size:246K _toshiba

TK10Q60W
TK10Q60W

TK10Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK10Q60W TK10Q60W TK10Q60W TK10Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


TK10Q60W
  TK10Q60W
  TK10Q60W
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: IRFU430A | IRFSL7787 | IRFSL7762 | IRFSL4510 | IRFP4905 | IRFP3207Z | IRFL3713S | IPI80CN10N | IPI600N25N3 | IPI530N15N3 | IPI35CN10N | IPI320N20N3 | IPI26CN10N | IPI200N25N3 | IPI200N15N3 |

 

 

 
Back to Top