TK10Q60W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK10Q60W  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm

Encapsulados: IPAK

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TK10Q60W datasheet

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TK10Q60W

TK10Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK10Q60W TK10Q60W TK10Q60W TK10Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

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TK10Q60W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK10Q60W ITK10Q60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.43 . Enhancement mode Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Otros transistores... TK100E10N1, TK100L60W, TK100S04N1L, TK10A60W5, TK10A80E, TK10E60W, TK10J80E, TK10P60W, 20N60, TK10V60W, TK11A65W, TK11P65W, TK11Q65W, TK11S10N1L, TK12A60W, TK12E60W, TK12J60W