TK10Q60W Todos los transistores

 

TK10Q60W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK10Q60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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TK10Q60W PDF Specs

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TK10Q60W

TK10Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK10Q60W TK10Q60W TK10Q60W TK10Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E... See More ⇒

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TK10Q60W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK10Q60W ITK10Q60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.43 . Enhancement mode Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2... See More ⇒

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