TK10Q60W Todos los transistores

 

TK10Q60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK10Q60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de TK10Q60W MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK10Q60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  toshiba
 tk10q60w.pdf pdf_icon

TK10Q60W

TK10Q60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK10Q60WTK10Q60WTK10Q60WTK10Q60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 ..2. Size:234K  inchange semiconductor
 tk10q60w.pdf pdf_icon

TK10Q60W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK10Q60WITK10Q60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.43.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Otros transistores... TK100E10N1 , TK100L60W , TK100S04N1L , TK10A60W5 , TK10A80E , TK10E60W , TK10J80E , TK10P60W , 20N60 , TK10V60W , TK11A65W , TK11P65W , TK11Q65W , TK11S10N1L , TK12A60W , TK12E60W , TK12J60W .

History: WMO15N25T2 | STB14NM50N | 6N70

 

 
Back to Top

 


 
.