TK12J60W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK12J60W  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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TK12J60W datasheet

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TK12J60W

TK12J60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK12J60W TK12J60W TK12J60W TK12J60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

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TK12J60W

TK12J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK12J60U Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.36 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 3.0 to 5.0 V

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TK12J60W

TK12J55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK12J55D Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.48 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VD

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