TK12J60W Todos los transistores

 

TK12J60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK12J60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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TK12J60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  toshiba
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TK12J60W

TK12J60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12J60WTK12J60WTK12J60WTK12J60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 7.1. Size:191K  toshiba
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TK12J60W

TK12J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK12J60U Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.36 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0 V

 9.1. Size:186K  toshiba
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TK12J60W

TK12J55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK12J55D Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.48 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VD

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History: XGP6510B | RJK0304DPB | PV6D2DA | NCE0125AK | UPA2718AGR | R6511KNJ | GP2301

 

 
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