TK20E60W5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK20E60W5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 165 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK20E60W5

TK20E60W5 Datasheet (PDF)

..1. Size:243K toshiba
tk20e60w5.pdf

TK20E60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20E60W5TK20E60W5TK20E60W5TK20E60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 110 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.15 (typ.) by used to Super Junction Str

6.1. Size:249K toshiba
tk20e60w.pdf

TK20E60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20E60WTK20E60WTK20E60WTK20E60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.13 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

7.1. Size:271K toshiba
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TK20E60UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20E60UTK20E60UTK20E60UTK20E60U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.165 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 12 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

7.2. Size:246K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK20E60UITK20E60UFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.19.Enhancement mode:Vth =3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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