TK20E60W5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK20E60W5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK20E60W5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK20E60W5 даташит

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk20e60w5.pdf pdf_icon

TK20E60W5

TK20E60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20E60W5 TK20E60W5 TK20E60W5 TK20E60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 110 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.15 (typ.) by used to Super Junction Str

 6.1. Size:249K  toshiba
 tk20e60w.pdf pdf_icon

TK20E60W5

TK20E60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20E60W TK20E60W TK20E60W TK20E60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.13 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 7.1. Size:271K  toshiba
 tk20e60u.pdf pdf_icon

TK20E60W5

TK20E60U MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20E60U TK20E60U TK20E60U TK20E60U 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.165 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 12 S (typ.) (3) Low leakage current IDS

 7.2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk20e60u.pdf pdf_icon

TK20E60W5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK17N65W, TK17V65W, TK18E10K3, TK200F04N1L, TK20A60W, TK20A60W5, TK20C60W, TK20E60W, AON7506, TK20G60W, TK20J60W, TK20J60W5, TK20N60W, TK20N60W5, TK20V60W, TK20V60W5, TK22A10N1