TK20N60W5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK20N60W5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 165 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK20N60W5

TK20N60W5 Datasheet (PDF)

..1. Size:239K toshiba
tk20n60w5.pdf

TK20N60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20N60W5TK20N60W5TK20N60W5TK20N60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 110 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.15 (typ.) by used to Super Junction Str

6.1. Size:245K toshiba
tk20n60w.pdf

TK20N60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20N60WTK20N60WTK20N60WTK20N60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.13 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

9.1. Size:917K st
stk20n75f3.pdf

STK20N75F3N-channel 75 V, 0.0065 , 20 A, PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) maxTypeSTK20N75F3 75 V

9.2. Size:129K ixys
ixtk20n150 ixtx20n150.pdf

High Voltage PowerVDSS = 1500VIXTK20N150MOSFETs w/ ExtendedID25 = 20AIXTX20N150FBSOARDS(on)

9.3. Size:425K first silicon
ftk20n06d.pdf

SEMICONDUCTORFTK20N06DTECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET AICJGENERAL DESCRIPTION The FTK20N06D uses advanced trench technology and design to DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2provide excellent RDS(ON) with low gate charge. B 5 60 0 2C 5 20 0 2It can be used in awide variety of applications. D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00 MAX I 2 30 0

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: