Справочник MOSFET. TK20N60W5

 

TK20N60W5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK20N60W5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для TK20N60W5

 

 

TK20N60W5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  toshiba
 tk20n60w5.pdf

TK20N60W5 TK20N60W5

TK20N60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20N60W5TK20N60W5TK20N60W5TK20N60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 110 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.15 (typ.) by used to Super Junction Str

 6.1. Size:245K  toshiba
 tk20n60w.pdf

TK20N60W5 TK20N60W5

TK20N60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20N60WTK20N60WTK20N60WTK20N60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.13 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

 9.1. Size:917K  st
 stk20n75f3.pdf

TK20N60W5 TK20N60W5

STK20N75F3N-channel 75 V, 0.0065 , 20 A, PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) maxTypeSTK20N75F3 75 V

 9.2. Size:129K  ixys
 ixtk20n150 ixtx20n150.pdf

TK20N60W5 TK20N60W5

High Voltage PowerVDSS = 1500VIXTK20N150MOSFETs w/ ExtendedID25 = 20AIXTX20N150FBSOARDS(on)

 9.3. Size:425K  first silicon
 ftk20n06d.pdf

TK20N60W5 TK20N60W5

SEMICONDUCTORFTK20N06DTECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET AICJGENERAL DESCRIPTION The FTK20N06D uses advanced trench technology and design to DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2provide excellent RDS(ON) with low gate charge. B 5 60 0 2C 5 20 0 2It can be used in awide variety of applications. D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1HH 1 00 MAX I 2 30 0

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top