TK20V60W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK20V60W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Encapsulados: DFN8X8
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TK20V60W datasheet
tk20v60w.pdf
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tk20v60w5.pdf
TK20V60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20V60W5 TK20V60W5 TK20V60W5 TK20V60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 110 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.156 (typ.) (3) Easy to control Gate switc
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