TK25N60X5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK25N60X5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 180 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 60 nC
   Tiempo de subida (tr): 40 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

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TK25N60X5 Datasheet (PDF)

..1. Size:370K toshiba
tk25n60x5.pdf

TK25N60X5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS-H)TK25N60X5TK25N60X5TK25N60X5TK25N60X51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 120 ns(typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.12 (typ.)(3) Easy to control Gate switc

6.1. Size:244K toshiba
tk25n60x.pdf

TK25N60XMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS-H)TK25N60XTK25N60XTK25N60XTK25N60X1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.105 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) High-speed switching properties wit

9.1. Size:430K first silicon
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Liste

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