TK28A65W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK28A65W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 75 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SIS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK28A65W

TK28A65W Datasheet (PDF)

..1. Size:293K toshiba
tk28a65w.pdf

TK28A65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK28A65WTK28A65WTK28A65WTK28A65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.094 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enha

..2. Size:253K inchange semiconductor
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INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK28A65WITK28A65WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.094 (typ.)Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=1.6mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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Liste

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