TK28A65W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK28A65W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 27.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 75 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220SIS
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK28A65W
TK28A65W Datasheet (PDF)
tk28a65w.pdf
TK28A65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK28A65WTK28A65WTK28A65WTK28A65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.094 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enha
tk28a65w.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK28A65WITK28A65WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.094 (typ.)Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=1.6mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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