TK28N65W Todos los transistores

 

TK28N65W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK28N65W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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TK28N65W Datasheet (PDF)

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TK28N65W

TK28N65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK28N65WTK28N65WTK28N65WTK28N65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.094 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 0.1. Size:249K  toshiba
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TK28N65W

TK28N65W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK28N65W5TK28N65W5TK28N65W5TK28N65W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 115 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.11 (typ.) by used to Super Junction Str

 9.1. Size:348K  st
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TK28N65W

STK28N3LLH5N-channel 30 V, 0.0035 , 28 A, PolarPAKSTripFETV Power MOSFETPreliminary DataFeaturesRDS(on) VDSS RDS(on)*QgTypemaxSTK28N3LLH5 30 V

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History: 2SK1435 | AP99T06AGP-HF

 

 
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