Справочник MOSFET. TK28N65W

 

TK28N65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK28N65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для TK28N65W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK28N65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  toshiba
 tk28n65w.pdf pdf_icon

TK28N65W

TK28N65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK28N65WTK28N65WTK28N65WTK28N65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.094 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 0.1. Size:249K  toshiba
 tk28n65w5.pdf pdf_icon

TK28N65W

TK28N65W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK28N65W5TK28N65W5TK28N65W5TK28N65W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 115 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.11 (typ.) by used to Super Junction Str

 9.1. Size:348K  st
 stk28n3llh5.pdf pdf_icon

TK28N65W

STK28N3LLH5N-channel 30 V, 0.0035 , 28 A, PolarPAKSTripFETV Power MOSFETPreliminary DataFeaturesRDS(on) VDSS RDS(on)*QgTypemaxSTK28N3LLH5 30 V

Другие MOSFET... TK25E60X5 , TK25N60X , TK25N60X5 , TK25S06N1L , TK25V60X , TK25V60X5 , TK28A65W , TK28E65W , IRF830 , TK28N65W5 , TK28V65W , TK2P90E , TK30A06N1 , TK30E06N1 , TK31A60W , TK31E60W , TK31E60X .

 

 
Back to Top

 


 
.