TK28N65W5 Todos los transistores

 

TK28N65W5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK28N65W5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: TO-247

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TK28N65W5 datasheet

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TK28N65W5

TK28N65W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK28N65W5 TK28N65W5 TK28N65W5 TK28N65W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 115 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.11 (typ.) by used to Super Junction Str

 6.1. Size:246K  toshiba
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TK28N65W5

TK28N65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK28N65W TK28N65W TK28N65W TK28N65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.094 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 9.1. Size:348K  st
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TK28N65W5

STK28N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0035 , 28 A, PolarPAK STripFET V Power MOSFET Preliminary Data Features RDS(on) VDSS RDS(on)*Qg Type max STK28N3LLH5 30 V

Otros transistores... TK25N60X , TK25N60X5 , TK25S06N1L , TK25V60X , TK25V60X5 , TK28A65W , TK28E65W , TK28N65W , 8N60 , TK28V65W , TK2P90E , TK30A06N1 , TK30E06N1 , TK31A60W , TK31E60W , TK31E60X , TK31J60W .

 

 

 


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