TK28N65W5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK28N65W5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK28N65W5
TK28N65W5 Datasheet (PDF)
tk28n65w5.pdf
TK28N65W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK28N65W5TK28N65W5TK28N65W5TK28N65W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 115 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.11 (typ.) by used to Super Junction Str
tk28n65w.pdf
TK28N65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK28N65WTK28N65WTK28N65WTK28N65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.094 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E
stk28n3llh5.pdf
STK28N3LLH5N-channel 30 V, 0.0035 , 28 A, PolarPAKSTripFETV Power MOSFETPreliminary DataFeaturesRDS(on) VDSS RDS(on)*QgTypemaxSTK28N3LLH5 30 V
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Liste
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