Справочник MOSFET. TK28N65W5

 

TK28N65W5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK28N65W5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 27.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 90 nC
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 70 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для TK28N65W5

 

 

TK28N65W5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  toshiba
tk28n65w5.pdf

TK28N65W5
TK28N65W5

TK28N65W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK28N65W5TK28N65W5TK28N65W5TK28N65W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 115 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.11 (typ.) by used to Super Junction Str

 6.1. Size:246K  toshiba
tk28n65w.pdf

TK28N65W5
TK28N65W5

TK28N65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK28N65WTK28N65WTK28N65WTK28N65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.094 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 9.1. Size:348K  st
stk28n3llh5.pdf

TK28N65W5
TK28N65W5

STK28N3LLH5N-channel 30 V, 0.0035 , 28 A, PolarPAKSTripFETV Power MOSFETPreliminary DataFeaturesRDS(on) VDSS RDS(on)*QgTypemaxSTK28N3LLH5 30 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top