TK31E60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK31E60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 86 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK31E60W

TK31E60W Datasheet (PDF)

..1. Size:258K toshiba
tk31e60w.pdf

TK31E60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK31E60WTK31E60WTK31E60WTK31E60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

..2. Size:246K inchange semiconductor
tk31e60w.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK31E60WITK31E60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.088.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=1.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

7.1. Size:251K toshiba
tk31e60x.pdf

TK31E60XMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS-H)TK31E60XTK31E60XTK31E60XTK31E60X1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) High-speed switching properties wit

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: