TK31J60W5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK31J60W5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 105 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK31J60W5

TK31J60W5 Datasheet (PDF)

..1. Size:243K toshiba
tk31j60w5.pdf

TK31J60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK31J60W5TK31J60W5TK31J60W5TK31J60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.082 (typ.) by using Super Junction Stru

6.1. Size:251K toshiba
tk31j60w.pdf

TK31J60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK31J60WTK31J60WTK31J60WTK31J60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

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Liste

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