TK31J60W5 - описание и поиск аналогов

 

TK31J60W5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK31J60W5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для TK31J60W5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK31J60W5 даташит

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk31j60w5.pdf pdf_icon

TK31J60W5

TK31J60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK31J60W5 TK31J60W5 TK31J60W5 TK31J60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 135 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.082 (typ.) by using Super Junction Stru

 6.1. Size:251K  toshiba
 tk31j60w.pdf pdf_icon

TK31J60W5

TK31J60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK31J60W TK31J60W TK31J60W TK31J60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.073 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

Другие MOSFET... TK28V65W , TK2P90E , TK30A06N1 , TK30E06N1 , TK31A60W , TK31E60W , TK31E60X , TK31J60W , IRFZ46N , TK31N60W , TK31N60W5 , TK31N60X , TK31V60W , TK31V60W5 , TK31V60X , TK32A12N1 , TK32E12N1 .

History: AP70SL380AJ | BSS7728NG | WM05N03M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.