TK34A10N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK34A10N1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 34 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 38 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220SIS
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK34A10N1
TK34A10N1 Datasheet (PDF)
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TK34A10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK34A10N1TK34A10N1TK34A10N1TK34A10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.9 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V)(3) Enha
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INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK34A10N1ITK34A10N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 7.9 m (typ.) (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOL
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