TK34A10N1 Todos los transistores

 

TK34A10N1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK34A10N1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220SIS
 

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TK34A10N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  toshiba
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TK34A10N1

TK34A10N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK34A10N1TK34A10N1TK34A10N1TK34A10N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.9 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V)(3) Enha

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
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TK34A10N1

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK34A10N1ITK34A10N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 7.9 m (typ.) (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOL

Otros transistores... TK31N60W5 , TK31N60X , TK31V60W , TK31V60W5 , TK31V60X , TK32A12N1 , TK32E12N1 , TK33S10N1Z , HY1906P , TK34E10N1 , TK35A08N1 , TK35A65W , TK35A65W5 , TK35E08N1 , TK35N65W , TK35N65W5 , TK39A60W .

History: BSZ0909ND | SQ4470EY

 

 
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