TK39J60W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK39J60W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Encapsulados: TO-3P
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TK39J60W datasheet
tk39j60w.pdf
TK39J60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK39J60W TK39J60W TK39J60W TK39J60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.055 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E
tk39j60w5.pdf
TK39J60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK39J60W5 TK39J60W5 TK39J60W5 TK39J60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 150 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.062 (typ.) by using Super Junction Stru
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