TK49N65W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK49N65W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Encapsulados: TO-247
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TK49N65W datasheet
tk49n65w.pdf
TK49N65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK49N65W TK49N65W TK49N65W TK49N65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.048 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enh
tk49n65w5.pdf
TK49N65W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK49N65W5 TK49N65W5 TK49N65W5 TK49N65W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 145 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.051 (typ.) by using Super Junction Stru
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