TK49N65W5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK49N65W5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.057 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK49N65W5

TK49N65W5 Datasheet (PDF)

..1. Size:249K toshiba
tk49n65w5.pdf

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6.1. Size:248K toshiba
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TK49N65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK49N65WTK49N65WTK49N65WTK49N65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.048 (typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enh

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Liste

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