IRFU210 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFU210  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO251

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IRFU210 datasheet

 ..1. Size:1298K  international rectifier
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IRFU210

PD - 95068A IRFR210PbF IRFU210PbF Lead-Free 12/9/04 Document Number 91268 www.vishay.com 1 IRFR/U210PbF Document Number 91268 www.vishay.com 2 IRFR/U210PbF Document Number 91268 www.vishay.com 3 IRFR/U210PbF Document Number 91268 www.vishay.com 4 IRFR/U210PbF Document Number 91268 www.vishay.com 5 IRFR/U210PbF Document Number 91268 www.vishay.com 6 IRFR/U21

 ..2. Size:821K  vishay
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IRFU210

IRFR210, IRFU210, SiHFR210, SiHFU210 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 200 Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Surface Mount (IRFR210, SiHFR210) Qg (Max.) (nC) 8.2 Straight Lead (IRFU210, SiHFU210) Available in Tape and Reel Qgs (nC) 1.8 Fast Switching Qgd (nC) 4.5 Eas

 ..3. Size:2066K  vishay
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IRFU210

IRFR210, IRFU210, SiHFR210, SiHFU210 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 200 Definition Dynamic dV/dt Rating RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Repetitive Avalanche Rated Qg (Max.) (nC) 8.2 Surface Mount (IRFR210, SiHFR210) Qgs (nC) 1.8 Straight Lead (IRFU210, SiHFU210) Qgd (nC) 4.5 Available in

 0.1. Size:655K  fairchild semi
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IRFU210

November 2001 IRFR210B / IRFU210B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.7A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF) This advanced technology has been especially tailored t

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