IRFU210 Todos los transistores

 

IRFU210 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFU210
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFU210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1298K  international rectifier
 irfr210pbf irfu210pbf.pdf pdf_icon

IRFU210

PD - 95068AIRFR210PbFIRFU210PbF Lead-Free12/9/04Document Number: 91268 www.vishay.com1IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com2IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com3IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com4IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com5IRFR/U210PbFDocument Number: 91268 www.vishay.com6IRFR/U21

 ..2. Size:821K  vishay
 irfr210pbf irfu210pbf sihfr210 sihfu210.pdf pdf_icon

IRFU210

IRFR210, IRFU210, SiHFR210, SiHFU210www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200 Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Surface Mount (IRFR210, SiHFR210)Qg (Max.) (nC) 8.2 Straight Lead (IRFU210, SiHFU210) Available in Tape and ReelQgs (nC) 1.8 Fast SwitchingQgd (nC) 4.5 Eas

 ..3. Size:2066K  vishay
 irfr210 irfu210 sihfr210 sihfu210.pdf pdf_icon

IRFU210

IRFR210, IRFU210, SiHFR210, SiHFU210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200Definition Dynamic dV/dt RatingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Repetitive Avalanche RatedQg (Max.) (nC) 8.2 Surface Mount (IRFR210, SiHFR210)Qgs (nC) 1.8 Straight Lead (IRFU210, SiHFU210)Qgd (nC) 4.5 Available in

 0.1. Size:655K  fairchild semi
 irfr210b irfu210b 2.pdf pdf_icon

IRFU210

November 2001IRFR210B / IRFU210B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.7A, 200V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 7.2 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.8 pF)This advanced technology has been especially tailored t

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFU110A , IRFU111 , IRFU120 , IRFU1205 , IRFU120A , IRFU120N , IRFU121 , IRFU130A , MMIS60R580P , IRFU210A , IRFU212 , IRFU214 , IRFU214A , IRFU220 , IRFU220A , IRFU222 , IRFU224 .

History: UK3018G-AE2-R | DMC2041UFDB | BRCS030N03ZC | IRF624A | CS2N70HU | SMP40N10 | IXFT14N80P

 

 
Back to Top

 


 
.