TK5P60W5 Todos los transistores

 

TK5P60W5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK5P60W5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.99 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

TK5P60W5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  toshiba
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TK5P60W5

TK5P60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK5P60W5TK5P60W5TK5P60W5TK5P60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 65 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.84 (typ.)by using Super Junction Structure :

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TK5P60W5

TK5P60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK5P60WTK5P60WTK5P60WTK5P60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.77 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhance

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TK5P60W5

TK5P65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK5P65WTK5P65WTK5P65WTK5P65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.02 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement

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History: BLP042N10G-P | FQA5N90 | FQA11N90CF109

 

 
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