TK5Q60W Todos los transistores

 

TK5Q60W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK5Q60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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TK5Q60W datasheet

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TK5Q60W

TK5Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK5Q60W TK5Q60W TK5Q60W TK5Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.77 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhance

 ..2. Size:233K  inchange semiconductor
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TK5Q60W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK5Q60W ITK5Q60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 900m . Enhancement mode Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.27mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.1. Size:377K  toshiba
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TK5Q60W

TK5Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK5Q65W TK5Q65W TK5Q65W TK5Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.02 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement

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