TK5Q65W Todos los transistores

 

TK5Q65W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK5Q65W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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TK5Q65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  toshiba
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TK5Q65W

TK5Q65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK5Q65WTK5Q65WTK5Q65WTK5Q65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.02 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement

 9.1. Size:241K  toshiba
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TK5Q65W

TK5Q60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK5Q60WTK5Q60WTK5Q60WTK5Q60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.77 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhance

 9.2. Size:233K  inchange semiconductor
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TK5Q65W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK5Q60WITK5Q60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 900m.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.27mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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History: STD2NB60T4 | WMQ080N03LG2

 

 
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