TK5Q65W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK5Q65W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.22 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
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TK5Q65W Datasheet (PDF)
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TK5Q65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK5Q65WTK5Q65WTK5Q65WTK5Q65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.02 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement
tk5q60w.pdf
TK5Q60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK5Q60WTK5Q60WTK5Q60WTK5Q60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.77 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhance
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK5Q60WITK5Q60WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 900m.Enhancement mode:Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.27mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
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Liste
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