TK6P60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK6P60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.82 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK6P60W

TK6P60W Datasheet (PDF)

..1. Size:240K toshiba
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TK6P60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK6P60WTK6P60WTK6P60WTK6P60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.68 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhance

..2. Size:263K inchange semiconductor
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Isc N-Channel MOSFET Transistor TK6P60WFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate charge100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSSV Gate-Source V

9.1. Size:380K toshiba
tk6p65w.pdf

TK6P65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK6P65WTK6P65WTK6P65WTK6P65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.89 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement

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Liste

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