TK7Q60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK7Q60W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK7Q60W

TK7Q60W Datasheet (PDF)

..1. Size:244K toshiba
tk7q60w.pdf

TK7Q60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK7Q60WTK7Q60WTK7Q60WTK7Q60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.5 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancem

9.1. Size:380K toshiba
tk7q65w.pdf

TK7Q65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK7Q65WTK7Q65WTK7Q65WTK7Q65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.66 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement

9.2. Size:234K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK7Q65WITK7Q65WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.8.Enhancement mode:Vth =2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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Liste

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