TK7Q60W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK7Q60W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 60 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.7 V

Carga de compuerta (Qg): 15 nC

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 13 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK7Q60W

TK7Q60W Datasheet (PDF)

1.1. tk7q60w.pdf Size:244K _toshiba

TK7Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK7Q60W TK7Q60W TK7Q60W TK7Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.5 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancem

5.1. tk7q65w.pdf Size:380K _toshiba

TK7Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK7Q65W TK7Q65W TK7Q65W TK7Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.66 Ω(typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement

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Liste

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