TK8P65W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK8P65W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 80 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 16 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.67 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK8P65W
TK8P65W Datasheet (PDF)
tk8p65w.pdf
TK8P65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK8P65WTK8P65WTK8P65WTK8P65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.55 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhance
tk8p60w.pdf
TK8P60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK8P60WTK8P60WTK8P60WTK8P60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.42 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhance
tk8p60w5.pdf
TK8P60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK8P60W5TK8P60W5TK8P60W5TK8P60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 80 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.44 (typ.) by used to Super
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