TK8P65W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK8P65W
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.67 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK8P65W

TK8P65W Datasheet (PDF)

..1. Size:263K toshiba
tk8p65w.pdf

TK8P65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK8P65WTK8P65WTK8P65WTK8P65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.55 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhance

9.1. Size:300K toshiba
tk8p60w.pdf

TK8P60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK8P60WTK8P60WTK8P60WTK8P60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.42 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhance

9.2. Size:282K toshiba
tk8p60w5.pdf

TK8P60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK8P60W5TK8P60W5TK8P60W5TK8P60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 80 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.44 (typ.) by used to Super

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