TMAN20N50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMAN20N50A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 312 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 44 nC

Tiempo de elevación (tr): 61 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 283 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-3PN

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMAN20N50A

TMAN20N50A Datasheet (PDF)

1.1. tman20n50.pdf Size:484K _upd-mosfet

TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)  Low gate charge 500V 20A <0.3W  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN20N50 TO-3PN TMAN20N50 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN20N50 Unit Drain-Source Voltage VDS 500 V Gate-Source Voltag

1.2. tman20n50a.pdf Size:503K _upd-mosfet

TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)  Low gate charge  100% avalanche tested 500V 20A < 0.3W  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  JEDEC Qualification Device Package Marking Remark TMAN20N50A TO-3PN TMAN20N50A RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN20N50A Unit Drain-Source Voltage VDS 500 V Gate-Source Voltage VGS ±3

3.1. tman20n60a.pdf Size:505K _upd-mosfet

TMAN20N60A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)  Low gate charge 600V 20A < 0.33W  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  JEDEC Qualification Device Package Marking Remark TMAN20N60A TO-3PN TMAN20N60A RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN20N60A Unit Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS

3.2. tman20n60.pdf Size:694K _upd-mosfet

TMAN20N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX  Low gate charge 600V 20A <0.33W  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN20N60 TO-3PN TMAN20N60 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN20N60 Unit Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Vo

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: