TMAN9N90 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMAN9N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: TO-3PN
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TMAN9N90 datasheet
tman9n90.pdf
TMAN9N90 VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(on) = 1.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D TO-3PN G S Device Package Marking Remark TMAN9N90 TO-3P TMAN9N90 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN9N90 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V
tman9n90az.pdf
TMAN9N90AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 9A
Otros transistores... TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , IRF730 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z , TMD2N65AZ , TMD3N40ZG .
History: IRLU7843PBF | MXP65D7AQ | PNMT6N2 | ME60N03 | MSD30N06 | MDV1529EURH | NTTFS5116PLTAG
History: IRLU7843PBF | MXP65D7AQ | PNMT6N2 | ME60N03 | MSD30N06 | MDV1529EURH | NTTFS5116PLTAG
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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