TMD3N40ZG Todos los transistores

 

TMD3N40ZG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMD3N40ZG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TMD3N40ZG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  trinnotech
 tmd3n40zg tmu3n40zg.pdf pdf_icon

TMD3N40ZG

TMD3N40ZG/TMU3N40ZGFeaturesVDSS = 440 V @Tjmax Low gate chargeID = 2A 100% avalanche testedRDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performanceDD-PAKI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD3N40ZG/TMU3N40ZG D-PAK/I-PAK TMD3N40ZG/TMU3N40ZG Halogen Free

 9.1. Size:159K  onsemi
 ntmd3n08lr2.pdf pdf_icon

TMD3N40ZG

NTMD3N08LR2Power MOSFET2.3 Amps, 80 VoltsN-Channel Enhancement-ModeSO-8 Dual Packagehttp://onsemi.comFeatures Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency2.3 AMPERES RDS(on) = 0.215 W, VGS = 10 V80 VOLTS RDS(on) = 0.245 W, VGS = 5.0 V Low Reverse Recovery Losses215 mW @ VGS = 5 V (Typ) Internal RG = 50 W Designed for Power Management Solutio

 9.2. Size:334K  trinnotech
 tmd3n80g tmu3n80g.pdf pdf_icon

TMD3N40ZG

TMD3N80G/TMU3N80GFeaturesVDSS = 880 V @Tjmax Low gate chargeID = 3A 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RDS(on) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAK DI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD3N80G/TMU3N80G D-PAK/I-PAK TMD3N80G/TMU3N80G Halogen FreeAbsolute Maximum Ratings Parameter

 9.3. Size:829K  trinnotech
 tmd3n90 tmu3n90.pdf pdf_icon

TMD3N40ZG

TMD3N90(G)/TMU3N90(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 2.5A

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History: STI32N65M5 | SWD7N60K2F

 

 
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