TMD3N40ZG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TMD3N40ZG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3.7 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Выходная емкость (Cd): 32 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.4 Ohm
Тип корпуса: DPAK
TMD3N40ZG Datasheet (PDF)
tmd3n40zg tmu3n40zg.pdf
TMD3N40ZG/TMU3N40ZGFeaturesVDSS = 440 V @Tjmax Low gate chargeID = 2A 100% avalanche testedRDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performanceDD-PAKI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD3N40ZG/TMU3N40ZG D-PAK/I-PAK TMD3N40ZG/TMU3N40ZG Halogen Free
ntmd3n08lr2.pdf
NTMD3N08LR2Power MOSFET2.3 Amps, 80 VoltsN-Channel Enhancement-ModeSO-8 Dual Packagehttp://onsemi.comFeatures Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency2.3 AMPERES RDS(on) = 0.215 W, VGS = 10 V80 VOLTS RDS(on) = 0.245 W, VGS = 5.0 V Low Reverse Recovery Losses215 mW @ VGS = 5 V (Typ) Internal RG = 50 W Designed for Power Management Solutio
tmd3n80g tmu3n80g.pdf
TMD3N80G/TMU3N80GFeaturesVDSS = 880 V @Tjmax Low gate chargeID = 3A 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RDS(on) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAK DI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD3N80G/TMU3N80G D-PAK/I-PAK TMD3N80G/TMU3N80G Halogen FreeAbsolute Maximum Ratings Parameter
tmd3n90 tmu3n90.pdf
TMD3N90(G)/TMU3N90(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 2.5A
tmd3n50az tmu3n50az.pdf
TMD3N50AZ(G)/TMU3N50AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A
tmd3n50z tmu3n50z.pdf
TMD3N50Z(G)/TMU3N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
