TMD4N60AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TMD4N60AZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 86.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 12 nC
   Tiempo de subida (tr): 27 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 61 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMD4N60AZ

TMD4N60AZ Datasheet (PDF)

..1. Size:464K trinnotech
tmd4n60az tmu4n60az.pdf

TMD4N60AZ(G)/TMU4N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

7.1. Size:317K trinnotech
tmd4n60 tmu4n60.pdf

TMD4N60/TMU4N60TMD4N60G/TMU4N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 4A Low gate chargeRDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAKDI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD4N60/TMU4N60 D-PAK/I-PAK TMD4N60/TMU4N60 RoHSTMD4N60G/TMU4N60G D-PAK/I-PAK

7.2. Size:543K cn wuxi unigroup
tma4n60h tmu4n60h tmd4n60h tmp4n60h.pdf

TMA4N60H,TMU4N60H,TMD4N60H, TMP4N60H Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Inf

8.1. Size:453K trinnotech
tmd4n65az tmu4n65az.pdf