TMD4N65AZ Todos los transistores

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TMD4N65AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMD4N65AZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 98.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 22 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 67 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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TMD4N65AZ Datasheet (PDF)

1.1. tmd4n65az.pdf Size:453K _upd-mosfet

TMD4N65AZ
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TMD4N65AZ(G)/TMU4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET  Low gate charge BVDSS ID RDS(on)  100% avalanche tested 650V 4.0A < 2.4W  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD4N65AZ / TMU4N65AZ D-PAK/I-PAK TMD4N65AZ / TMU4N65AZ RoHS TMD

3.1. tmd4n65z.pdf Size:475K _upd-mosfet

TMD4N65AZ
TMD4N65AZ

TMD4N65Z(G)/TMU4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)  Low gate charge 650V 4A <2.4W  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD4N65Z / TMU4N65Z TO-220 / TO-220F TMD4N65Z / TMU4N65Z RoHS TMD4N65ZG / TMU4N65ZG TO-220 / TO-220F

 4.1. tmd4n60.pdf Size:317K _upd-mosfet

TMD4N65AZ
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TMD4N60/TMU4N60 TMD4N60G/TMU4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A  Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD4N60/TMU4N60 D-PAK/I-PAK TMD4N60/TMU4N60 RoHS TMD4N60G/TMU4N60G D-PAK/I-PAK

4.2. tmd4n60az.pdf Size:464K _upd-mosfet

TMD4N65AZ
TMD4N65AZ

TMD4N60AZ(G)/TMU4N60AZ(G) N-channel MOSFET Features  Low gate charge BVDSS ID RDS(on)  100% avalanche tested 600V 4.0A < 2.5W  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD4N60AZ / TMU4N60AZ D-PAK/I-PAK TMD4N60AZ / TMU4N60AZ RoHS TMD4N

Otros transistores... TMD2N65AZ , TMD3N40ZG , TMD3N50AZ , TMD3N50Z , TMD3N80G , TMD3N90 , TMD4N60 , TMD4N60AZ , IRF1404 , TMD4N65Z , TMD5N40ZG , TMD5N50 , TMD5N50G , TMD5N60AZ , TMD5N60Z , AOD434 , TMD630Z .

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