TMD4N65AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TMD4N65AZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TMD4N65AZ

TMD4N65AZ Datasheet (PDF)

..1. Size:453K trinnotech
tmd4n65az tmu4n65az.pdf

TMD4N65AZ(G)/TMU4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

7.1. Size:475K trinnotech
tmd4n65z tmu4n65z.pdf

TMD4N65Z(G)/TMU4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

8.1. Size:317K trinnotech
tmd4n60 tmu4n60.pdf

TMD4N60/TMU4N60TMD4N60G/TMU4N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 4A Low gate chargeRDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAKDI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD4N60/TMU4N60 D-PAK/I-PAK TMD4N60/TMU4N60 RoHSTMD4N60G/TMU4N60G D-PAK/I-PAK

8.2. Size:464K trinnotech
tmd4n60az tmu4n60az.pdf

TMD4N60AZ(G)/TMU4N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

8.3. Size:543K cn wuxi unigroup
tma4n60h tmu4n60h tmd4n60h tmp4n60h.pdf

TMA4N60H,TMU4N60H,TMD4N60H, TMP4N60H Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Inf

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History: IRFS650A

Liste

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