TMD4N65AZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMD4N65AZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Encapsulados: DPAK
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TMD4N65AZ datasheet
tmd4n65az tmu4n65az.pdf
TMD4N65AZ(G)/TMU4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A
tmd4n65z tmu4n65z.pdf
TMD4N65Z(G)/TMU4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A
tmd4n60 tmu4n60.pdf
TMD4N60/TMU4N60 TMD4N60G/TMU4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD4N60/TMU4N60 D-PAK/I-PAK TMD4N60/TMU4N60 RoHS TMD4N60G/TMU4N60G D-PAK/I-PAK
tmd4n60az tmu4n60az.pdf
TMD4N60AZ(G)/TMU4N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A
Otros transistores... TMD2N65AZ , TMD3N40ZG , TMD3N50AZ , TMD3N50Z , TMD3N80G , TMD3N90 , TMD4N60 , TMD4N60AZ , IRF640N , TMD4N65Z , TMD5N40ZG , TMD5N50 , TMD5N50G , TMD5N60AZ , TMD5N60Z , AOD434 , TMD630Z .
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