TMD5N40ZG Todos los transistores

 

TMD5N40ZG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMD5N40ZG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: DPAK

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TMD5N40ZG datasheet

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TMD5N40ZG

TMD5N40ZG/TMU5N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 3.4A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD5N40ZG/TMU5N40ZG D-PAK/I-PAK TMD5N40ZG/TMU5N40ZG Halogen Free Abso

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TMD5N40ZG

TMD5N60Z(G)/TMU5N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 4.2A

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TMD5N40ZG

TMD5N50/TMU5N50 TMD5N50G/TMU5N50G Features VDSS = 550 V @Tjmax Low gate charge ID = 4.5A 100% avalanche tested RDS(ON) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery D I-PAK D-PAK G S Device Package Marking Remark TMD5N50/TMU5N50 D-PAK/I-PAK TMD5N50/TMU5N50 RoHS

 9.3. Size:457K  trinnotech
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TMD5N40ZG

TMD5N60AZ(G)/TMU5N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

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History: AP2336GN-HF | TMD4N65AZ | SE15N50FRA

 

 

 

 

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