TMD7N65Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMD7N65Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: DPAK
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TMD7N65Z datasheet
tmd7n65z tmu7n65z.pdf
TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A
tmd7n65az tmu7n65az.pdf
TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A
tma7n65h tmp7n65h tmd7n65h tmu7n65h.pdf
TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES l Fast switching l 100% avalanche tested l Improved dv/dt capability APPLICATIONS l Switch Mode Power Supply (SMPS) l Uninterruptible Power Supply (UPS) l Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA7N65H TO-220F A7N65H TM
tmd7n60z tmu7n60z.pdf
TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A
Otros transistores... TMD5N60AZ , TMD5N60Z , AOD434 , TMD630Z , TMD6N65G , TMD6N70 , TMD7N60Z , TMD7N65AZ , IRF630 , TMD830 , TMD830AZ , TMD830Z , TMD8N25Z , TMD8N50Z , TMD8N60AZ , TMP10N60 , TMP10N60A .
History: STD4NK80ZT4
History: STD4NK80ZT4
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Liste
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