TMD8N25Z Todos los transistores

 

TMD8N25Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMD8N25Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de TMD8N25Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TMD8N25Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  trinnotech
 tmd8n25z tmu8n25z.pdf pdf_icon

TMD8N25Z

TMD8N25Z(G)/TMU8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

 9.1. Size:472K  trinnotech
 tmd8n60az tmu8n60az.pdf pdf_icon

TMD8N25Z

TMD8N60AZ(G)/TMU8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 9.2. Size:452K  trinnotech
 tmd8n50z tmu8n50z.pdf pdf_icon

TMD8N25Z

TMD8N50Z(G)/TMU8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 9.3. Size:470K  cn wuxi unigroup
 tma8n60h tmd8n60h tmu8n60h.pdf pdf_icon

TMD8N25Z

TMA8N60H, TMD8N60H, TMU8N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA8N60H TO-

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... TMD6N65G , TMD6N70 , TMD7N60Z , TMD7N65AZ , TMD7N65Z , TMD830 , TMD830AZ , TMD830Z , 12N60 , TMD8N50Z , TMD8N60AZ , TMP10N60 , TMP10N60A , TMP10N65 , TMP10N65A , TMP10N80 , TMP11N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.