TMD8N60AZ Todos los transistores

 

TMD8N60AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMD8N60AZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TMD8N60AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:472K  trinnotech
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TMD8N60AZ

TMD8N60AZ(G)/TMU8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 7.1. Size:470K  cn wuxi unigroup
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TMD8N60AZ

TMA8N60H, TMD8N60H, TMU8N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA8N60H TO-

 8.1. Size:538K  cn wuxi unigroup
 tma8n65h tmc8n65h tmd8n65h tmu8n65h.pdf pdf_icon

TMD8N60AZ

TMA8N65H, TMC8N65H,TMD8N65H, TMU8N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA

 9.1. Size:450K  trinnotech
 tmd8n25z tmu8n25z.pdf pdf_icon

TMD8N60AZ

TMD8N25Z(G)/TMU8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

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History: IRF9Z25 | TMP8N60AZ

 

 
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